کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1524190 995335 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ab initio study of antisite defective layered Ge2Sb2Te5
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Ab initio study of antisite defective layered Ge2Sb2Te5
چکیده انگلیسی
► The antisite defects in layered Ge2Sb2Te5 have been investigated by ab initio calculations. ► Our results show that both TeSb and SbTe antisite defective GST alloys are energetically favorable and mechanically stable. ► The antisite defects result in the decrease in band gaps and show slight effect on chemical bonding characters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 133, Issue 1, 15 March 2012, Pages 159-162
نویسندگان
, , , , ,