کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1524190 | 995335 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ab initio study of antisite defective layered Ge2Sb2Te5
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠The antisite defects in layered Ge2Sb2Te5 have been investigated by ab initio calculations. ⺠Our results show that both TeSb and SbTe antisite defective GST alloys are energetically favorable and mechanically stable. ⺠The antisite defects result in the decrease in band gaps and show slight effect on chemical bonding characters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 133, Issue 1, 15 March 2012, Pages 159-162
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 133, Issue 1, 15 March 2012, Pages 159-162
نویسندگان
Jian Zhou, Zhimei Sun, Yuanchun Pan, Zhitang Song, Rajeev Ahuja,