کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1526802 | 995375 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microstructure related transport phenomena in chemically deposited PbSe films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the electrical properties of chemically deposited PbSe films with controlled microstructure ranging from nanocrystalline to single crystal films. Control over the deposition mechanism consequently allowed control over the physical properties of the obtained films. The electrical conductivity, carrier concentration, drift mobility and carrier scattering mechanism were correlated with the film morphology. In polycrystalline PbSe films, the activation energy of the electrical conductivity is governed by the nature of the grain boundaries. In monocrystalline PbSe films, conductivity vs. temperature depends on carrier scattering from lattice vibrations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 112, Issue 1, 15 November 2008, Pages 132–135
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 112, Issue 1, 15 November 2008, Pages 132–135
نویسندگان
M. Shandalov, Z. Dashevsky, Y. Golan,