کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1527808 | 995395 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
XPS study of InTe and GaTe single crystals oxidation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) thermal oxidation of indium and gallium tellurides single crystals was studied. It was established, that oxidation produces layers of both metal and tellurium oxides on the surface, which drastically differs from indium and gallium sulphides and selenides own oxides. Possibility of formation of the other tellurium containing phases is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 97, Issue 1, 10 May 2006, Pages 98–101
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 97, Issue 1, 10 May 2006, Pages 98–101
نویسندگان
O.A. Balitskii, W. Jaegermann,