کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1527808 995395 2006 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
XPS study of InTe and GaTe single crystals oxidation
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
XPS study of InTe and GaTe single crystals oxidation
چکیده انگلیسی

Using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) thermal oxidation of indium and gallium tellurides single crystals was studied. It was established, that oxidation produces layers of both metal and tellurium oxides on the surface, which drastically differs from indium and gallium sulphides and selenides own oxides. Possibility of formation of the other tellurium containing phases is discussed.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 97, Issue 1, 10 May 2006, Pages 98–101
نویسندگان
, ,