کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1527835 | 995396 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influences of Ti, TiN, Ta and TaN layers on integration of low-k SiOC:H and Cu
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The interactions between low-k material hydrogenated silicon oxycarbide (SiOC:H) and barrier layers, Ta, TaN, physical-vapor deposition (PVD) and chemical-vapor deposition (CVD) Ti and TiN, have been investigated. The results show these barriers except TaN can react with SiOC:H at evaluated temperature. Furthermore, significant interactions of carbon and oxygen due to the degradation of the SiOC:H films upon annealing exist for all barrier/SiOC:H structures. The CVD-TiN structure can retard the hydrogen out-diffusion, while PVD-TiN structure induces the H out-diffusion from the SiOC:H films. By studying flat band voltage shift in C-V tests, it is demonstrated that Cu+ ions drift into SiOC:H under electric field at elevated temperatures. A thin layer of TaN is proven to be good Cu drift barrier layer with SiOC:H dielectrics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 104, Issue 1, 15 July 2007, Pages 18-23
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 104, Issue 1, 15 July 2007, Pages 18-23
نویسندگان
Kou-Chiang Tsai, Wen-Fa Wu, Chuen-Guang Chao, Jwo-Lun Hsu, Chiu-Fen Chiang,