کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1529289 | 995747 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Band structure analysis in SiGe nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
One of the main challenges for Silicon-Germanium nanowires (SiGe NWs) electronics is the possibility to modulate and engine their electronic properties in an easy way, in order to obtain a material with the desired electronic features. Diameter and composition constitute two crucial ways for the modification of the band gap and of the band structure of SiGe NWs. Within the framework of density functional theory we present results of ab initio calculations regarding the band structure dependence of SiGe NWs on diameter and composition. We point out the main differences with respect to the case of pure Si and Ge wires and we discuss the particular features of SiGe NWs that are useful for future technological applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 177, Issue 10, 5 June 2012, Pages 705–711
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 177, Issue 10, 5 June 2012, Pages 705–711
نویسندگان
Michele Amato, Maurizia Palummo, Stefano Ossicini,