کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1529294 | 995747 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Silicon-rich oxynitride hosts for 1.5 μm Er3+ emission fabricated by reactive and standard RF magnetron sputtering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This study compares the erbium emission from different Si-rich silicon oxynitrides matrices fabricated by magnetron sputtering. The Er-doped layers were grown by two different sputtering configurations: (i) standard co-sputtering of three confocal targets (Er2O3, Si3N4 and SiO2) under Ar plasma, and (ii) reactive co-sputtering under Ar + N2 plasma of either three (Er2O3, pure Si and SiO2) or two targets (Er2O3 and pure Si). The last reactive configuration was found to offer the best Er3+ PL intensity at 1.5 μm. This highest PL intensity was found comparable to the corresponding emission from Er-doped silicon-rich silicon oxide.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 177, Issue 10, 5 June 2012, Pages 725–728
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 177, Issue 10, 5 June 2012, Pages 725–728
نویسندگان
S. Cueff, C. Labbé, L. Khomenkova, O. Jambois, P. Pellegrino, B. Garrido, C. Frilay, R. Rizk,