کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1529808 | 995773 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
State of the art of high temperature power electronics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
High temperature power electronics has become possible with the recent availability of silicon carbide devices. This material, as other wide-bandgap semiconductors, can operate at temperatures above 500 °C, whereas silicon is limited to 150–200 °C. Applications such as transportation or a deep oil and gas wells drilling can benefit. A few converters operating above 200 °C have been demonstrated, but work is still ongoing to design and build a power system able to operate in harsh environment (high temperature and deep thermal cycling).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 176, Issue 4, 15 March 2011, Pages 283–288
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 176, Issue 4, 15 March 2011, Pages 283–288
نویسندگان
Cyril Buttay, Dominique Planson, Bruno Allard, Dominique Bergogne, Pascal Bevilacqua, Charles Joubert, Mihai Lazar, Christian Martin, Hervé Morel, Dominique Tournier, Christophe Raynaud,