کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1529809 995773 2011 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nonlinear thermal characteristics of silicon carbide devices
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Nonlinear thermal characteristics of silicon carbide devices
چکیده انگلیسی

In the paper, the dynamic nonlinear model of SiC devices is proposed, where the dependencies of the thermal parameters on the temperature are included. The proposed model is applicable and useful in the simulations of electro-thermal transients in the devices working with high power density and in the wide range of temperature.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 176, Issue 4, 15 March 2011, Pages 289–292
نویسندگان
, ,