کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1529809 | 995773 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nonlinear thermal characteristics of silicon carbide devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In the paper, the dynamic nonlinear model of SiC devices is proposed, where the dependencies of the thermal parameters on the temperature are included. The proposed model is applicable and useful in the simulations of electro-thermal transients in the devices working with high power density and in the wide range of temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 176, Issue 4, 15 March 2011, Pages 289–292
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 176, Issue 4, 15 March 2011, Pages 289–292
نویسندگان
Włodzimierz Janke, Aneta Hapka,