کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1529810 | 995773 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Numerical solution of the anisotropic Poisson equation for SiC semiconductors device simulation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Classically, in semiconductor simulation programs it is assumed that the semiconductor material is isotropic, i.e. dielectric constant, transport parameters such as carrier mobility have no direction dependence. In this work, we propose a numerical study for the Poisson's equation, addressing the anisotropic properties for the hexagonal silicon carbide (SiC) polytype. The implementation uses a vectorized code. Investigation has been conducted for the 4H- and 6H-SiC. Our results have been compared with TCAD-dessis which enables anisotropic simulation, results have shown good agreement.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 176, Issue 4, 15 March 2011, Pages 293–296
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 176, Issue 4, 15 March 2011, Pages 293–296
نویسندگان
Gesualdo Donnarumma, Janusz Woźny, Zbigniew Lisik,