کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1529812 | 995773 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic properties of BaTiO3/4H-SiC interface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The possibility of barium titanate (BaTiO3) application in silicon carbide (SiC) technology has been elaborated in terms of the dielectric film quality and properties of the BaTiO3/4H-SiC interface. High resistivity, high-k thin films containing La2O3 admixture were applied as gate insulator of metal-insulator-semiconductor (MIS) structure. The thin films were deposited by means of radio frequency plasma sputtering (RF PS) of sintered BaTiO3 + La2O3 (2 wt.%) target on 8° off-axis 4H-SiC (0001) epitaxial layers doped with nitrogen. The results of current-voltage and capacitance-voltage measurements are presented for MIS capacitors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 176, Issue 4, 15 March 2011, Pages 301-304
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 176, Issue 4, 15 March 2011, Pages 301-304
نویسندگان
M. Sochacki, P. Firek, N. Kwietniewski, J. Szmidt, W. Rzodkiewicz,