کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1530382 | 1511994 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for radiation detector structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Rare-earth (RE) elements present in the growth from the liquid phase have purifying effect on III–V semiconductors due to REs high affinity towards chemical species of shallow impurities. We demonstrate this purifying effect on the preparation of InP layers by liquid phase epitaxy with Pr admixture to the growth melt. We employ low temperature photoluminescence, capacitance–voltage and Hall effect measurements to show that optimized concentration of Pr admixture results in the growth of high purity layers of both conductivity types. We discuss the application of p-type InP layers in radiation detectors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 165, Issues 1–2, 25 November 2009, Pages 94–97
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 165, Issues 1–2, 25 November 2009, Pages 94–97
نویسندگان
J. Grym, O. Procházková, J. Zavadil, K. Zdánský,