کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1530631 | 1511996 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Si quantum dots for solar cell fabrication
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Thin film stacks, made of Si-rich SiO alternated with SiO2 layers, have been deposited by reactive RF sputtering starting from Si and SiO2 targets, respectively. Crystalline quantum dots (QDs) have been nucleated by Si precipitation from the Si-rich SiO phase using high temperature annealing. PL measurements evidenced a blueshift of the emission peak which has been attributed to a reduction of the Si QD size. Electrical resistivity measurements showed a semiconducting-like behaviour. QD size affect the resistivity values and the activation energies. We have tentatively interpreted the electrical behaviour of this quantum structure by using a Meyer-Neldel Rule conventionally used to explain the electrical properties of nanoporous silicon.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 159–160, 15 March 2009, Pages 66–69
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 159–160, 15 March 2009, Pages 66–69
نویسندگان
M. Ficcadenti, N. Pinto, L. Morresi, R. Murri, L. Serenelli, M. Tucci, M. Falconieri, A. Krasilnikova Sytchkova, M.L. Grilli, A. Mittiga, M. Izzi, L. Pirozzi, S.R. Jadkar,