کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1530655 | 1511996 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
He implantation induced nanovoids in crystalline Si
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: He implantation induced nanovoids in crystalline Si He implantation induced nanovoids in crystalline Si](/preview/png/1530655.png)
چکیده انگلیسی
Positron annihilation spectroscopy (PAS) in Doppler broadening mode was used to study the vacancy profile of crystalline Si after He and B implantation and subsequent annealing. In the He-implanted samples two different void layers were observed, one consisting of large voids at the projected range of He and another containing “nanovoids” slightly larger than divacancies at roughly halfway between Rp of He and the surface. The nanovoid layer was shown to be absent from samples co-implanted with B, implying that interstitials created during B implantation get trapped in the nanovoids and fill them, thus hindering interstitial-mediated B diffusion.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 159–160, 15 March 2009, Pages 164–167
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 159–160, 15 March 2009, Pages 164–167
نویسندگان
S. Kilpeläinen, K. Kuitunen, J. Slotte, F. Tuomisto, E. Bruno, S. Mirabella, F. Priolo,