کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1530661 | 1511996 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optical spectroscopy of carrier relaxation processes in Si nanocrystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have investigated thermalization, trapping and recombination processes of carriers in Si nanocrystals embedded in a SiO2 matrix. The study has been performed using time-resolved optical techniques of photoluminescence and induced absorption, allowing for 17Â ps and 150Â fs resolution, respectively. Based on these results, the possible relaxation processes are discussed. Special attention is paid to cooperative processes circumventing the effect of phonon bottleneck theoretically expected for Si nanocrystals.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 159â160, 15 March 2009, Pages 190-193
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 159â160, 15 March 2009, Pages 190-193
نویسندگان
W. de Boer, H. Zhang, T. Gregorkiewicz,