کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1530722 | 995811 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal annealing effects on Cu–Se resonant tunneling diodes fabricated by electrodeposition-assisted template synthesis technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, we present the influence of thermal annealing on the I–V characteristics of Cu–Se resonant tunneling diodes of 100 nm diameter fabricated through template-based synthesis technique. Our experimental results indicate that high-temperature annealing can result in improvement of the electrical characteristics of Cu–Se resonant tunneling diodes. It is evidenced from an increase in peak to valley current ratio, which is 1.13 at room temperature of 300 K and is 5.05 at annealing temperature of 363 K. We present these results from I–V studies of these devices recorded at different annealing temperatures (323–363 K).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 149, Issue 1, 15 March 2008, Pages 7–11
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 149, Issue 1, 15 March 2008, Pages 7–11
نویسندگان
Meeru Chaudhri, A. Vohra, S.K. Chakarvarti,