کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1530821 | 1511995 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ru underlayers for enhancement of in-plane magnetic anisotropy field of Ru/FeCoB film
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
FeCoB layer prepared on Ru underlayer exhibited a high magnetic anisotropy field Hk around 500Â Oe. Sputtering conditions to fabricate Ru/FeCoB bilayered film with high Hk were examined. Low Ar gas pressure condition around 1Â mTorr for the deposition of FeCoB layer was required to induce compressive stress in the film which may cause an expansion of the lattice. The sputtering gas of Ar was preferable than Kr to cause the lattice expansion which resulted in higher Hk. Thinner Ru underlayer caused high Hk of the Ru/FeCoB bilayered film. The sputtering gas pressure for Ru underlayer of 6Â mTorr was better than that of 16Â mTorr to attain high Hk of FeCoB upperlayer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 161, Issues 1â3, 15 April 2009, Pages 134-137
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 161, Issues 1â3, 15 April 2009, Pages 134-137
نویسندگان
Ken-ichiro Hirata, Atsuto Hashimoto, Toshimitsu Matsuu, Shigeki Nakagawa,