کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1531050 | 1512000 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-resolution X-ray diffraction by end of range defects in self-amorphized Ge
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this study we detected the positive perpendicular strain (ɛ⊥) due to end of range (EOR) defects formed in Ge amorphized with 300 keV, 2.5 × 1015 Ge/cm2 at liquid nitrogen temperature by means of high-resolution X-ray diffraction. We found that, after complete solid phase epitaxial recrystallization of the amorphous layer (about 1 h at 340 °C), only 2% of the original ɛ⊥ survives. This strain completely disappears after 270 min at 405 °C. On the other hand, after this more aggressive annealing, a thin negatively strained layer appears just below the surface. The whole set of data is discussed and compared with existing literature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 154–155, 5 December 2008, Pages 64–67
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 154–155, 5 December 2008, Pages 64–67
نویسندگان
G. Bisognin, S. Vangelista, E. Bruno,