کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1531147 | 1512006 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Energy level diagram for lanthanide-doped lanthanum orthovanadate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Based on temperature dependent photoconductivity, excitation, and emission measurements we have established the absolute location of 4f energy levels of Pr3+, Eu2+ and Tb3+ doped in LaVO4. In combination with an empirical model describing a systematic and material independent variation of the 4f ground states of tri- and divalent lanthanides this information was used to predict the corresponding absolute energy level positions of all the other lanthanides in the same compound. The results of our work are presented in a complete energy level diagram for LaVO4:Ln (Ln = La, Ce, Pr, …, Lu).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 146, Issues 1–3, 15 January 2008, Pages 114–120
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 146, Issues 1–3, 15 January 2008, Pages 114–120
نویسندگان
Andreas H. Krumpel, Erik van der Kolk, Pieter Dorenbos, Philippe Boutinaud, Enrico Cavalli, Marco Bettinelli,