کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1531330 | 1512005 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and assessment of InGaN quantum dots in a microcavity: A blue single photon source
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Using a modified droplet epitaxy approach in metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE), we have grown InGaN quantum dots (QDs) on top of a 20-period AlN/GaN distributed Bragg reflector (DBR). The QDs were located at the centre of a ca. 182 nm GaN layer. To complete the cavity a three-period SiOx/SiNx DBR was deposited onto the GaN surface. Despite the evolution of roughness during the growth of the AlN/GaN DBR, due to cracking of the AlN layers, a cavity mode was observed, with a quality-factor of ∼50. Enhanced single QD emission was observed in micro-photoluminescence studies of the sample, and photon-correlation spectra provided evidence for single photon emission.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 147, Issues 2–3, 15 February 2008, Pages 108–113
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 147, Issues 2–3, 15 February 2008, Pages 108–113
نویسندگان
R.A. Oliver, A.F. Jarjour, R.A. Taylor, A. Tahraoui, Y. Zhang, M.J. Kappers, C.J. Humphreys,