کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1531369 | 1512005 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of nanocrystalline Pbs/n-Si heterostructures for optoelectronic applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The nano-crystalline PbS/n-Si heterostructure was studied using photocurrent spectra, I–V and C–V characteristics and admittance spectroscopy. The frequency dependent junction capacitance and conductance measurements show the presence of two contributions: first, a defect related mechanism which we attribute to a deep trap level with a large cross-section in nano-crystals with smaller sizes around 5 nm at the interface with Si and a second mechanism with an activation energy of about 250 meV, attributed to carrier transport in relatively large PbS grains of about 15 nm in size.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 147, Issues 2–3, 15 February 2008, Pages 284–288
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 147, Issues 2–3, 15 February 2008, Pages 284–288
نویسندگان
Ma. Buda, V. Stancu, G. Iordache, L. Pintilie, I. Pintilie, Mi. Buda, T. Botila,