کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1531543 | 995837 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Direct synthesis of SiC nanowires by multiple reaction VS growth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
β-SiC nanowires were directly synthesized by heating single-crystal silicon wafer and graphite without metal catalysts. The diameter of SiC nanowires is in the range of 10–30 nm, and the length is up to a few millimeters. Two kinds of SiC nanowires, namely pure SiC nanowires and SiC/SiO2 composite nanowires, formed at higher temperature (the holding stage) and lower temperature (the cooling stage), respectively. A multiple-reaction model was proposed to explain the formation of SiC nanowires.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 136, Issue 1, 15 January 2007, Pages 72–77
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 136, Issue 1, 15 January 2007, Pages 72–77
نویسندگان
X.W. Du, X. Zhao, S.L. Jia, Y.W. Lu, J.J. Li, N.Q. Zhao,