کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1531680 | 995843 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Technology CAD for germanium CMOS circuit
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Process simulation for germanium MOSFETs (Ge-MOSFETs) has been performed in 2D SILVACO virtual wafer fabrication (VWF) suite towards the technology CAD for Ge-CMOS process development. Material parameters and mobility models for Germanium were incorporated in simulation via C-interpreter function. We also report on the device design issues along with the DC and RF characterization of the bulk Ge-MOSFETs, AC parameter extraction and circuit simulation of Ge-CMOS. Simulation results are compared with bulk-Si devices. Simulations predict a cut-off frequency, fT of about 175 GHz for Ge-MOSFETs compared to 70 GHz for a similar gate-length Si MOSFET. For a single stage Ge-CMOS inverter circuit, a GATE delay of 0.6 ns is predicted.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 135, Issue 3, 15 December 2006, Pages 261–266
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 135, Issue 3, 15 December 2006, Pages 261–266
نویسندگان
A.R. Saha, C.K. Maiti,