کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1532105 | 1512022 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Synthesis and characteristics of sword-like GaN nanorods clusters through ammoniating Ga2O3 thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Sword-like GaN nanorods have been successfully synthesized by ammoniating Ga2O3 thin films deposited on Si substrate by magnetron sputtering. The GaN nanorods have been characterized by scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and selected area electron diffraction (SAED). SEM images show that sword-like GaN nanorods take on radial structure. The XRD and SAED analyses have identified that the nanorods are pure hexagonal GaN with single crystalline wurtzite structure. The HRTEM images indicate that the nanorods are well crystallized and nearly free from defects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 129, Issues 1â3, 15 April 2006, Pages 76-79
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 129, Issues 1â3, 15 April 2006, Pages 76-79
نویسندگان
Xue Chengshan, Tian Deheng, Zhuang Huizhao, Zhang Xiaokai, Wu Yuxin, Liu Yi'an, He Jianting, Ai Yujie,