کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1532133 | 1512022 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Properties of AlN epitaxial layers on 6H-SiC substrate grown by sublimation in argon, nitrogen, and their mixtures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Secondary-ion mass spectroscopy (SIMS) results showed a low concentration of carbon incorporation in the AlN layers. This study demonstrates that nitrogen is necessary for the successful epitaxial growth of AlN on 6H-SiC by sublimation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 129, Issues 1â3, 15 April 2006, Pages 228-231
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 129, Issues 1â3, 15 April 2006, Pages 228-231
نویسندگان
M. Beshkova, Z. Zakhariev, M.V. Abrashev, J. Birch, A. Postovit, R. Yakimova,