کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1532133 1512022 2006 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Properties of AlN epitaxial layers on 6H-SiC substrate grown by sublimation in argon, nitrogen, and their mixtures
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Properties of AlN epitaxial layers on 6H-SiC substrate grown by sublimation in argon, nitrogen, and their mixtures
چکیده انگلیسی
Secondary-ion mass spectroscopy (SIMS) results showed a low concentration of carbon incorporation in the AlN layers. This study demonstrates that nitrogen is necessary for the successful epitaxial growth of AlN on 6H-SiC by sublimation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 129, Issues 1–3, 15 April 2006, Pages 228-231
نویسندگان
, , , , , ,