کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1532253 | 1512023 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth, real structure and applications of GaSe1−xSx crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth, real structure and applications of GaSe1−xSx crystals Growth, real structure and applications of GaSe1−xSx crystals](/preview/png/1532253.png)
چکیده انگلیسی
Real defect structure, growing technology and physical properties of doped GaSe:S crystals are presented. From comparative experiment on CO2 laser SHG at identical experimental conditions 1.45 times advantages of GaSe:S (2 wt%) in relation to pure and GaSe:In (0.1 wt%) crystals are developed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 128, Issues 1–3, 15 March 2006, Pages 205–210
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 128, Issues 1–3, 15 March 2006, Pages 205–210
نویسندگان
Yu.M. Andreev, V.V. Atuchin, G.V. Lanskii, A.N. Morozov, L.D. Pokrovsky, S.Yu. Sarkisov, O.V. Voevodina,