کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1550136 | 1513116 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
InGaAsNSb/Ge double-junction solar cells grown by metalorganic chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی های تجدید پذیر، توسعه پایدار و محیط زیست
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
InGaAsNSb/Ge (1.14/0.67Â eV) double-junction solar cells have been grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Ge p-n junction structures are realized by phosphorous diffusion on p-type Ge substrates. GaAs/InGaAsNSb heterojunction structures are grown on the Ge solar cells. The single-junction InGaAsNSb and Ge subcells are electrically connected by a GaAs tunnel junction. The fabricated solar cell exhibits an efficiency of 9.05% under AM 1.5G illumination with an open circuit voltage of 0.92Â V. The InGaAsNSb subcell possessed a low external quantum efficiency over the sub-GaAs bandgap spectral range, reflecting the short minority carrier diffusion length of the dilute-nitride-antimonide material.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy - Volume 102, April 2014, Pages 126-130
Journal: Solar Energy - Volume 102, April 2014, Pages 126-130
نویسندگان
Youngjo Kim, Kangho Kim, Tae Wan Kim, Luke J. Mawst, Thomas F. Kuech, Chang Zoo Kim, Won-Kyu Park, Jaejin Lee,