کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1550306 | 998090 | 2013 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Passivation of boron-doped Ñ+-Si emitters in the (p+nn+)Si solar cell structure with AlOx grown by ultrasonic spray pyrolysis
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی های تجدید پذیر، توسعه پایدار و محیط زیست
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
AlOx/(p+nn+)Cz-Si/IFO and ITO/AlOx/(p+nn+)Cz-Si/IFO solar cell structures have been fabricated from n-type Czochralski (Cz) silicon wafers through boron and phosphorus diffusion for producing the p+-Si emitter and n+-Si layer, respectively. The results demonstrate that the level of p+-Si surface passivation increases with increasing AlOx film thickness and as a result of heat treatment. The optimal sheet resistance of the emitter is â¼65 Ω/â¡. The pseudo-efficiency of the ITO/AlOx/(p+nn+)Cz-Si/IFO structures was 20.2/18.8% under front/back illumination.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy - Volume 98, Part C, December 2013, Pages 440-447
Journal: Solar Energy - Volume 98, Part C, December 2013, Pages 440-447
نویسندگان
G.G. Untila, T.N. Kost, Ð.B. Chebotareva, A.S. Stepanov, M.B. Zaks, Ð.Ð. Sitnikov, Ð.I. Solodukha,