کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1551714 | 998145 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Sub-micrometer thick CuInSe2 films for solar cells using sequential elemental evaporation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی های تجدید پذیر، توسعه پایدار و محیط زیست
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
CuInSe2 thin films were prepared using sequential vacuum evaporation of In, Se and Cu at moderately low substrate temperatures, avoiding any treatment using toxic H2Se gas. The samples were annealed at 400 °C at a pressure of 10â5 mbar to form CuInSe2. Structural, optical, electrical, compositional and morphological characterizations were carried out on these films. We could obtain highly stoichiometric film, using this simple method, without opting for co-evaporation or high substrate temperature for deposition.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy - Volume 83, Issue 7, July 2009, Pages 964-968
Journal: Solar Energy - Volume 83, Issue 7, July 2009, Pages 964-968
نویسندگان
K.G. Deepa, R. Jayakrishnan, K.P. Vijayakumar, C. Sudha Kartha, V. Ganesan,