Laser pulsing of field evaporation in atom probe tomography

در نظر گرفته شده، فرآیندهای که از طریق آن، تبخیر میدان در یک پروب اتمی به طور موقت توسط تحریک یک پرتو لیزر بر روی یک نمونه تحریک می شود. برای فلزات، مکانیزم غالب و شاید تنها منطقی، جذب انرژی است که منجر به پالس حرارتی شده است که به خوبی شناخته شده است. انرژی پرتو لیزر در یک عمق پوست نازک نازک بر روی سطح نمونه جذب می شود. برای مواد با شکاف باند مانند نیمه هادی ها و دی الکتریک ها، متوجه می شویم که جذب انرژی در یک لایه سطح نازک، فرایند را تحت تأثیر قرار می دهد و منجر به پالس های حرارتی مشابه می شود. مقدار نسبی جذب سطح در مقابل جذب حجم می تواند به شدت بر جریان گرما و به همین ترتیب طیف جرم نمونه تاثیر بگذارد. بنابراین به دلایل بسیار متفاوتی به نظر می رسد که همه مواد رفتار مشابهی در پاسخ به لیزر پالس در توموگرافی پروب اتم دارند.