کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1561216 1513939 2013 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface formation of scandium nitride on the GaN(0 0 0 1) surface: A first-principles study
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Interface formation of scandium nitride on the GaN(0 0 0 1) surface: A first-principles study
چکیده انگلیسی
► First-principles study of the adsorption, diffusion and incorporation of Sc on the GaN(0 0 0 1) surface. ► The Sc incorporation process is energetically more favorable that the surface adsorption. ► The atomic Sc incorporation is more favorable in moderate and extreme N-rich conditions. ► DFT calculations predict the interface formation of ScN/GaN metal/semiconductor layer growth, before the Sc film formation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 70, April 2013, Pages 77-81
نویسندگان
, , ,