کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1561216 | 1513939 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface formation of scandium nitride on the GaN(0Â 0Â 0Â 1) surface: A first-principles study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠First-principles study of the adsorption, diffusion and incorporation of Sc on the GaN(0 0 0 1) surface. ⺠The Sc incorporation process is energetically more favorable that the surface adsorption. ⺠The atomic Sc incorporation is more favorable in moderate and extreme N-rich conditions. ⺠DFT calculations predict the interface formation of ScN/GaN metal/semiconductor layer growth, before the Sc film formation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 70, April 2013, Pages 77-81
Journal: Computational Materials Science - Volume 70, April 2013, Pages 77-81
نویسندگان
William López-Perez, Jairo Arbey Rodriguez, Rafael González-Hernández,