کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1561466 | 1513946 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical study of electronic and mechanical properties of GeC nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We study the physical properties of passivated GeC nanowires within DFT. ⺠The band gaps of GeC and SiC nanowires are direct and very close between them. ⺠The Young's modulus of passivated nanowires follow this order: SiC > GeC > Si > Ge. ⺠The Poisson's ratio of non-carbide nanowires is larger than that of carbide nanowires.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 63, October 2012, Pages 47-51
Journal: Computational Materials Science - Volume 63, October 2012, Pages 47-51
نویسندگان
F. Salazar, Luis A. Pérez,