کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1562120 | 999579 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic band structure and inter-atomic bonding in layered 1111-like Th-based pnictide oxides ThCuPO, ThCuAsO, ThAgPO, and ThAgAsO from first principles calculations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠1111 Th-based pnictide oxides ThMPnO behave as semimetals. ⺠ThMPnO are “intermediate” between superconducting and semiconducting 1111 phases. ⺠The Th 5f states in these materials are itinerant and partially occupied. ⺠The bonding in ThMPnO is a high-anisotropic mixture of ionic and covalent contributions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 50, Issue 9, July 2011, Pages 2736-2740
Journal: Computational Materials Science - Volume 50, Issue 9, July 2011, Pages 2736-2740
نویسندگان
V.V. Bannikov, I.R. Shein, A.L. Ivanovskii,