کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1562120 999579 2011 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic band structure and inter-atomic bonding in layered 1111-like Th-based pnictide oxides ThCuPO, ThCuAsO, ThAgPO, and ThAgAsO from first principles calculations
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Electronic band structure and inter-atomic bonding in layered 1111-like Th-based pnictide oxides ThCuPO, ThCuAsO, ThAgPO, and ThAgAsO from first principles calculations
چکیده انگلیسی
► 1111 Th-based pnictide oxides ThMPnO behave as semimetals. ► ThMPnO are “intermediate” between superconducting and semiconducting 1111 phases. ► The Th 5f states in these materials are itinerant and partially occupied. ► The bonding in ThMPnO is a high-anisotropic mixture of ionic and covalent contributions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 50, Issue 9, July 2011, Pages 2736-2740
نویسندگان
, , ,