کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1562791 | 999597 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Acceptor and donor ionization energy levels in O-doped ZnTe
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Acceptor and donor ionization energy levels in O-doped ZnTe Acceptor and donor ionization energy levels in O-doped ZnTe](/preview/png/1562791.png)
چکیده انگلیسی
The O-doped ZnTe (ZnTe1−xOx) alloys present induce levels through O doping into the host semiconductor gap. ZnTe usually crystallizes in the zinc-blend structure and ZnO in the wurtzite structure under normal conditions. Therefore two possible ZnTe1−xOx phases may coexist, although in different proportions, depending on experimental growth conditions. We present total energy calculations and analyze some of their electronic properties with respect to: the two ordered wurtzite and zinc-blende structures, the concentration (x from 0.0078 to 0.5), the localized basis set (from single-zeta to quadruple-zeta with polarization basis sets), and the variation of the ionization levels with x and with the distance O–Zn.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 49, Issue 2, August 2010, Pages 368–371
Journal: Computational Materials Science - Volume 49, Issue 2, August 2010, Pages 368–371
نویسندگان
C. Tablero,