کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1563050 | 999603 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular dynamics simulations of Si/Ge cluster condensation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The condensation of Si, Ge, and Si/Ge nanoclusters in an Ar atmosphere was simulated using molecular dynamics simulations. The clusters formed were made with different Si-to-Ge ratios ranging from 100% Si to 100% Ge. The results indicate that Ge atoms have a tendency to segregate to the surface of the clusters, although the magnitude of this effect depends on the potential used for the simulations. Also, there is a random tendency for the atoms to form non-spherical clusters; this tendency grows with the increased concentration of Ge atoms.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 47, Issue 2, December 2009, Pages 456–459
Journal: Computational Materials Science - Volume 47, Issue 2, December 2009, Pages 456–459
نویسندگان
Ari Harjunmaa, Kai Nordlund,