کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1563486 | 999611 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First-principles study of heavily B-doped silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The energy and electronic properties of heavily B-doped silicon were investigated by density functional theory calculations. Our calculated electronic structures show that the impurity levels mix with valence band edge and the Fermi level locates in the valence band. It supports the metal-superconductor transition mechanism of heavily B-doped silicon, which is similar to that of diamond. A few differences from in diamond that the superconducting critical temperature TC is related to both B concentration and configurations, TC in silicon is only related to B concentration.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 42, Issue 1, March 2008, Pages 161-167
Journal: Computational Materials Science - Volume 42, Issue 1, March 2008, Pages 161-167
نویسندگان
Run Long, Ying Dai, Baibiao Huang, Xueqin Sun,