کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1563556 | 999613 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A 2-D mesoscopic model coupling mechanical and diffusion for electromigration in thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A 2-D mesoscopic model coupling mechanical and diffusion for electromigration in thin films A 2-D mesoscopic model coupling mechanical and diffusion for electromigration in thin films](/preview/png/1563556.png)
چکیده انگلیسی
Electromigration is an important mechanism of deformation and failure in miniaturized electronics materials. In this paper, a 2-D mesoscopic simulation method is developed for analyzing electromigration-induced stress in thin films and finite element method is implemented for solution. Numerical simulations are compared with theoretical result and comparisons validate the model. The method has advantage in describing boundary conditions for constrained diffusion when focusing on creep process of thin films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 46, Issue 2, August 2009, Pages 443–446
Journal: Computational Materials Science - Volume 46, Issue 2, August 2009, Pages 443–446
نویسندگان
Ya-Xiong Zheng, Li-Sha Niu,