کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1564225 | 999637 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic properties of GaN at high-pressure from local density and generalized gradient approximations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Electronic properties of zinc-blende GaN under high-pressure up to 12 Gpa are obtained from density-functional-theory calculations using an ab initio total energy pseudopotential technique within the local-density and the generalized gradient approximations. Quantities such as, band-gap deformation potentials and pressure coefficients of main critical-point band gaps, valence band width, and electron effective mass are calculated. The obtained results are generally in good agreement with available experimental data. The gradient corrections to the local density approximation, included via generalized gradient approximation give significant improvement of the calculated pressure coefficients over the local density approximation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 37, Issue 4, October 2006, Pages 613–617
Journal: Computational Materials Science - Volume 37, Issue 4, October 2006, Pages 613–617
نویسندگان
S. Saib, N. Bouarissa,