کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1564509 | 1513959 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ab initio simulation of diamond epitaxial growth on copper
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Density functional theory calculations show that epitaxial diamond films can be grown on copper substrates due to small mismatches in the copper and diamond lattice parameters and to the absence of their chemical affinity. The mean cohesive energy for ã1Â 0Â 0ã films is larger than that for ã1Â 1Â 1ã films. However, the ã1Â 1Â 1ã films are more stable than the ã1Â 0Â 0ã ones in respect to separation from the copper substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 36, Issues 1â2, May 2006, Pages 139-142
Journal: Computational Materials Science - Volume 36, Issues 1â2, May 2006, Pages 139-142
نویسندگان
V.G. Zavodinsky,