کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1564512 | 1513959 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Cs doping effects on electronic structure of thin nanotubes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Using ab initio density functional simulations, we investigate the localization of energy states and the changes of the electronic structures in pristine and Cs-doped cap and stem (5, 5) nanotubes. Although the pristine capped structure has a semiconducting character, the doped capped structures are metallic. For the (5, 5) stem, the dangling bonds created as a result of Cs collisions result in generation of extra states within the pseudogap, such that the density of states at Fermi energy is increased. The localization of the states near the Fermi energy at the cap, and the reduction of the work functions of Cs-doped capped structures make them suitable for field emission.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 36, Issues 1â2, May 2006, Pages 152-158
Journal: Computational Materials Science - Volume 36, Issues 1â2, May 2006, Pages 152-158
نویسندگان
Mohammad Khazaei, Amir A. Farajian, Hiroshi Mizuseki, Yoshiyuki Kawazoe,