کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1573641 1514685 2016 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Twinning interactions induced amorphisation in ultrafine silicon grains
ترجمه فارسی عنوان
تعاملات دوختنی باعث تحریک آمورفیزاسیون در دانه های سیلیکونی فوق العاده می شود
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد دانش مواد (عمومی)
چکیده انگلیسی
Detailed transmission electron microscopy analysis on a severely deformed Al-Si composite material has revealed that partial dislocation slips and deformation twinning are the major plastic deformation carriers in ultrafine silicon grains. This resembles the deformation twinning activities and mechanisms observed in nano-crystalline face-centred-cubic metallic materials. While deformation twinning and amorphisation in Si were thought unlikely to co-exist, it is observed for the first time that excessive twinning and partial dislocation interactions can lead to localised solid state amorphisation inside ultrafine silicon grains.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: A - Volume 658, 21 March 2016, Pages 321-325
نویسندگان
, , ,