کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1590932 | 1515477 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Laser-excited photoemission spectroscopy study of superconducting boron-doped diamond
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have investigated the low-energy electronic state of boron-doped diamond thin film by the laser-excited photoemission spectroscopy. A clear Fermi-edge is observed for samples doped above the semiconductor-metal boundary, together with the characteristic structures at 150ÃnmeV possibly due to the strong electron-lattice coupling effect. In addition, for the superconducting sample, we observed a shift of the leading edge below Tc indicative of a superconducting gap opening. We discuss the electron-lattice coupling and the superconductivity in doped diamond.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Science and Technology of Advanced Materials - Volume 7, Supplement 1, August 2006, Pages S17-S21
Journal: Science and Technology of Advanced Materials - Volume 7, Supplement 1, August 2006, Pages S17-S21
نویسندگان
K. Ishizaka, R. Eguchi, S. Tsuda, T. Kiss, T. Shimojima, T. Yokoya, S. Shin, T. Togashi, S. Watanabe, C.-T. Chen, C.Q. Zhang, Y. Takano, M. Nagao, I. Sakaguchi, T. Takenouchi, H. Kawarada,