کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1590937 | 1515477 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Superconductivity and low temperature electrical transport in B-doped CVD nanocrystalline diamond
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, we report on superconductivity (SC) found in thin B-doped nanocrystalline diamond films, prepared by the PE-CVD technique. The thickness of the films varies from about 100 to 400 nm, the films are grown on low-alkaline glass at substrate temperatures of about 500-700 °C. The SIMS measurements show that films can be heavily doped with boron in concentrations in the range of 3Ã1021 cmâ3. The Raman spectra show Fano resonances, confirming the substitutional B-incorporation. The low temperature magnetotransport measurements reveal a positive magnetoresistance. The SC transition is observed at about Tc=1.66 K. A simple theory exploiting the concept of weak localization accounting for this transition is proposed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Science and Technology of Advanced Materials - Volume 7, Supplement 1, August 2006, Pages S41-S44
Journal: Science and Technology of Advanced Materials - Volume 7, Supplement 1, August 2006, Pages S41-S44
نویسندگان
Milos Nesladek, Jiri J. Mares, Dominique Tromson, Christine Mer, Philippe Bergonzo, Pavel Hubik, Jozef Kristofik,