کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1592469 1515636 2013 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal conductivity evaluation of GaN-AlN-(4H)SiC hetero-epitaxial material system
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Thermal conductivity evaluation of GaN-AlN-(4H)SiC hetero-epitaxial material system
چکیده انگلیسی
► Effective thermal conductivity of GaN-AlN-(4H)SiC material system is evaluated. ► Callaway approach is made to know the thermal conductivities of the materials. ► Effective thermal conductivity of GaN-AlN-(4H)SiC is≅2.0 W/cm Kwithout (4H)SiC. ► Effective thermal conductivity of GaN-AlN-(4H)SiC is≅4.0 W/cm K with (4H)SiC. ► GaN-AlN-(4H)SiC is favorable for high frequency and high temperature operation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 159, April 2013, Pages 102-105
نویسندگان
,