کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1592469 | 1515636 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal conductivity evaluation of GaN-AlN-(4H)SiC hetero-epitaxial material system
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Thermal conductivity evaluation of GaN-AlN-(4H)SiC hetero-epitaxial material system Thermal conductivity evaluation of GaN-AlN-(4H)SiC hetero-epitaxial material system](/preview/png/1592469.png)
چکیده انگلیسی
⺠Effective thermal conductivity of GaN-AlN-(4H)SiC material system is evaluated. ⺠Callaway approach is made to know the thermal conductivities of the materials. ⺠Effective thermal conductivity of GaN-AlN-(4H)SiC isâ
2.0 W/cm Kwithout (4H)SiC. ⺠Effective thermal conductivity of GaN-AlN-(4H)SiC isâ
4.0 W/cm K with (4H)SiC. ⺠GaN-AlN-(4H)SiC is favorable for high frequency and high temperature operation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 159, April 2013, Pages 102-105
Journal: Solid State Communications - Volume 159, April 2013, Pages 102-105
نویسندگان
Sri.K. Bose,