کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1592492 | 1515638 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fluorination effects on the electronic transport properties of dithiophene-tetrathiafulvalene (DT-TTF) molecular junctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The fluorination of dithiophene-tetrathiafulvalent (DT-TTF) was investigated by using the density functional theory combined with nonequilibrium Green's function method. It is demonstrated that fluorination can modify the electronic transport properties of DT-TTF. Negative differential resistance can be observed within a certain bias voltage range in 4FDT-TTF.
► Fluorination effects on the electronic transport in TTF molecular junction.
► F-substitution can modify the electronic transport properties of DT-TTF.
► NDR can be observed within a certain bias voltage range in 4FDT-TTF.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 157, March 2013, Pages 62–67
Journal: Solid State Communications - Volume 157, March 2013, Pages 62–67
نویسندگان
Ming-Jun Li, Meng-Qiu Long, Ke-Qiu Chen, Hui Xu,