کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1592718 | 1002671 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of partial hydrogenation on electronic transport properties in C60 molecular devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠The transport properties can be modulated by partial hydrogenation. ⺠The transport properties of C60 molecular devices depend on the absorptions site. ⺠At low biases, the imbalance H-adsorption can enhance the electron transport. ⺠At low biases, the balance H-adsorption can suppress the electron transport. ⺠Negative differential resistance behavior can be observed in the case of pristine.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 152, Issue 23, December 2012, Pages 2123-2127
Journal: Solid State Communications - Volume 152, Issue 23, December 2012, Pages 2123-2127
نویسندگان
L.N. Chen, C. Cao, X.Z. Wu, S.S. Ma, W.R. Huang, H. Xu,