کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1592788 | 1002674 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical injection and detection of spin accumulation in Ge at room temperature
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electrical injection and detection of spin accumulation in Ge at room temperature Electrical injection and detection of spin accumulation in Ge at room temperature](/preview/png/1592788.png)
چکیده انگلیسی
We inject spin-polarized electrons from an Fe/MgO tunnel barrier contact into nn-type Ge(001) substrates with electron densities 2×1016
► We observe spin accumulation in Ge at room temperature.
► Different dopings are used to confirm spin accumulation in the Ge substrate.
► The three-terminal Hanle effect has been used to measure spin accumulation.
► There is a direct correlation between spin lifetime and substrate doping.
► The magnitude of the spin accumulation matches theory for low doping.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 152, Issue 4, February 2012, Pages 244–248
Journal: Solid State Communications - Volume 152, Issue 4, February 2012, Pages 244–248
نویسندگان
A.T. Hanbicki, S.-F. Cheng, R. Goswami, O.M.J. van ‘t Erve, B.T. Jonker,