کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1592939 | 1002679 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dual top gated graphene transistor in the quantum Hall regime
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We study dual top gated graphene field effect transistor. ⺠In quantum Hall regime, we observe fractionally quantized conductance plateaus. ⺠We discuss a model to understand such a quantization of conductance. ⺠Role of inhomogeneity is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 152, Issue 6, March 2012, Pages 545-548
Journal: Solid State Communications - Volume 152, Issue 6, March 2012, Pages 545-548
نویسندگان
Ajay K. Bhat, Vibhor Singh, Sunil Patil, Mandar M. Deshmukh,