کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1593212 | 1002690 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of inelastic electron-phonon interaction on tunneling magnetoresistance through ferromagnetic-organic molecule-ferromagnetic junction
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effect of inelastic electron-phonon interaction on tunneling magnetoresistance through ferromagnetic-organic molecule-ferromagnetic junction Effect of inelastic electron-phonon interaction on tunneling magnetoresistance through ferromagnetic-organic molecule-ferromagnetic junction](/preview/png/1593212.png)
چکیده انگلیسی
⺠We use the NEGF method and the tight-binding Hamiltonian model. ⺠We investigate the effect of inelastic electron-phonon interactions on TMR. ⺠We use the wide-band approximation for FM electrodes. ⺠We find that the electron-phonon interaction leads to reduction of the TMR ratio.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 151, Issue 18, September 2011, Pages 1236-1239
Journal: Solid State Communications - Volume 151, Issue 18, September 2011, Pages 1236-1239
نویسندگان
M. Ashhadi, S.A. Ketabi,