کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1593305 | 1002694 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Engineering and metrology of epitaxial graphene
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Engineering and metrology of epitaxial graphene Engineering and metrology of epitaxial graphene](/preview/png/1593305.png)
چکیده انگلیسی
Here we review the concepts and technologies, in particular photochemical gating, which contributed to the recent progress in quantum Hall resistance metrology based on large scale epitaxial graphene on silicon carbide.
► Single-layer graphene grown with a fairly uniform carrier density over a large area.
► Polymer encapsulation improves graphene temporal stability and carrier mobility.
► Demonstrated non-volatile, non-invasive, and reversible photochemical gating of epitaxial graphene.
► Explored the accuracy and robustness of QHE in graphene/polymer heterostructures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 151, Issue 16, August 2011, Pages 1094–1099
Journal: Solid State Communications - Volume 151, Issue 16, August 2011, Pages 1094–1099
نویسندگان
Alexander Tzalenchuk, Samuel Lara-Avila, Karin Cedergren, Mikael Syväjärvi, Rositza Yakimova, Olga Kazakova, T.J.B.M. Janssen, Kasper Moth-Poulsen, Thomas Bjørnholm, Sergey Kopylov, Vladimir Fal’ko, Sergey Kubatkin,