کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1593478 | 1515663 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Donor–acceptor pair recombination in non-stoichiometric ZnO thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The stoichiometry of pulsed-laser deposited, nominally undoped ZnO thin films can be controlled via oxygen partial pressure during growth. Samples grown under zinc-rich conditions at pressures below 0.02 mbar show the formation of a donor–acceptor pair recombination at 3.104 eV. Temperature- and excitation-dependent photoluminescence studies revealed structural defects, namely zinc interstitials and zinc vacancies, with donor and acceptor binding energies of ED=40meV and EA=320meV, respectively, to be accountable for this recombination. The findings were confirmed via calculations within the quantum defect model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 7–8, February 2010, Pages 379–382
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 7–8, February 2010, Pages 379–382
نویسندگان
Christof P. Dietrich, Martin Lange, Gabriele Benndorf, Holger von Wenckstern, Marius Grundmann,